PBSS304ND,115

PBSS304, PBSS304ND,115, PBSS304NX,115, PBSS304NZ,135, PBSS304PD,115, PBSS304PX,115, PBSS304PZ,135

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPBSS304ND,115PBSS304NX,115PBSS304NZ,135PBSS304PD,115PBSS304PX,115PBSS304PZ,135
Корпус микросхемы
Корпус
SC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1 А<4.7 А(не задано)<3 А<4.2 А<4.5 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<80 В<60 В<60 В<80 В<60 В<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<750 мВт<1.65 Вт<2 Вт<1.65 Вт<1.65 Вт<2 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>240Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 1A, 2V>200Ic, Vce = 500mA, 2V>200Ic, Vce = 500mA, 2V>200Ic, Vce = 1A, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<55 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<35 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<220 мВIb, Ic = 200mA, 4A<50 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<50 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<300 мВIb, Ic = 200mA, 4A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<140 МГц<130 МГц<130 МГц<130 МГц<130 МГц<130 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPNNPNNPNPNPPNPPNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)