На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PBSS304ND,115 | PBSS304NX,115 | PBSS304NZ,135 | PBSS304PD,115 | PBSS304PX,115 | PBSS304PZ,135 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-74-6 | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SC-74-6 | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | <4.7 А | (не задано) | <3 А | <4.2 А | <4.5 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <80 В | <60 В | <60 В | <80 В | <60 В | <60 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <750 мВт | <1.65 Вт | <2 Вт | <1.65 Вт | <1.65 Вт | <2 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >240Ic, Vce = 500mA, 2V | >300Ic, Vce = 500mA, 2V | >300Ic, Vce = 1A, 2V | >200Ic, Vce = 500mA, 2V | >200Ic, Vce = 500mA, 2V | >200Ic, Vce = 1A, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <55 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <35 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <220 мВIb, Ic = 200mA, 4A | <50 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <50 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <300 мВIb, Ic = 200mA, 4A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <140 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <130 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | NPN | NPN | PNP | PNP | PNP |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |