PBSS303NX,115

PBSS303, PBSS303ND,115, PBSS303NX,115, PBSS303NZ,135, PBSS303PD,115, PBSS303PX,115, PBSS303PZ,135

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPBSS303ND,115PBSS303NX,115PBSS303NZ,135PBSS303PD,115PBSS303PX,115PBSS303PZ,135
Корпус микросхемы
Корпус
SC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1 А<5.1 А<5.5 А<1 А<5.1 А<5.3 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В<30 В<30 В<60 В<30 В<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<750 мВт<1.65 Вт<2 Вт<750 мВт<1.65 Вт<2 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>345Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 1A, 2V>180Ic, Vce = 500mA, 2V>250Ic, Vce = 500mA, 2V>250Ic, Vce = 1A, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<55 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<30 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<130 мВIb, Ic = 400mA, 4A<70 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<35 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<140 мВIb, Ic = 40mA, 2A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<140 МГц<130 МГц<130 МГц<110 МГц<130 МГц<130 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPNNPNNPNPNPPNPPNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 нА(не задано)(не задано)<100 нА(не задано)(не задано)