PBSS302NX,115

PBSS302, PBSS302ND,115, PBSS302NX,115, PBSS302NZ,135, PBSS302PD,115, PBSS302PX,115, PBSS302PZ,135

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPBSS302ND,115PBSS302NX,115PBSS302NZ,135PBSS302PD,115PBSS302PX,115PBSS302PZ,135
Корпус микросхемы
Корпус
SC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<4 А<5.3 А<5.8 А<4 А<5.1 А<5.5 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<40 В<20 В<20 В<40 В<20 В<20 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<750 мВт<1.65 Вт<1.7 Вт<750 мВт<1.65 Вт<700 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>300Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 500mA, 2V>200Ic, Vce = 500mA, 2V>250Ic, Vce = 500mA, 2V>345Ic, Vce = 500mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<60 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<25 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<25 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<60 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<35 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<55 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<150 МГц<150 МГц<140 МГц<110 МГц<130 МГц<140 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPNNPNNPNPNPPNPPNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 нА(не задано)(не задано)<100 нА(не задано)<100 нА