На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PBSS301ND,115 | PBSS301NX,115 | PBSS301NZ,135 | PBSS301PD,115 | PBSS301PX,115 | PBSS301PZ,135 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-74-6 | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SC-74-6 | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <4 А | <5.3 А | <5.8 А | <4 А | <5.3 А | <5.7 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <20 В | <12 В | <12 В | <20 В | <12 В | <12 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <750 мВт | <1.65 Вт | <2 Вт | <750 мВт | <1.65 Вт | <2 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >300Ic, Vce = 500mA, 2V | >300Ic, Vce = 500mA, 2V | >300Ic, Vce = 1A, 2V | >250Ic, Vce = 500mA, 2V | >250Ic, Vce = 500mA, 2V | >250Ic, Vce = 1A, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <50 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <25 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <70 мВIb, Ic = 10mA, 1A | <50 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <30 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <90 мВIb, Ic = 10mA, 1A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <140 МГц | <140 МГц | <80 МГц | <140 МГц | <140 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | NPN | NPN | PNP | PNP | PNP |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 нА | (не задано) | (не задано) | <100 нА | (не задано) | (не задано) |