На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PBHV9115T,215 | PBHV9115Z,115 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <150 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | <1.4 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 50mA, 10V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <100 мВIb, Ic = 20mA, 100mA | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <115 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 нА | |