P2N2907AG

P2N2907, P2N2907A, P2N2907AG, P2N2907ARL1, P2N2907ARL1G, P2N2907AZL1, P2N2907AZL1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрP2N2907AP2N2907AGP2N2907ARL1P2N2907ARL1GP2N2907AZL1P2N2907AZL1G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<600 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 1mA, 10V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<10 нА