На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NST489AMT1 | NST489AMT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 6-TSOP | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <30 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <535 мВт | <1.75 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >300Ic, Vce = 500mA, 5V | >300Ic, Vce = 1mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <200 мВIb, Ic = 100mA, 1A | <75 мВIb, Ic = 1mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <300 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 нА | |