NSS60601

NSS60601, NSS60601MZ4T1G, NSS60601MZ4T3G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNSS60601MZ4T1GNSS60601MZ4T3G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<6 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<800 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 1A, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<100 мВIb, Ic = 200mA, 2A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN