На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NSS40200LT1G | NSS40200UW6T1G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | 6-WDFN |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <460 мВт | <1.5 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >220Ic, Vce = 500mA, 2V | >150Ic, Vce = 500mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <170 мВIb, Ic = 10mA, 1A | <300 мВIb, Ic = 20mA, 2A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <140 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |