На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NSS35200CF8T1G | NSS35200MR6T1G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-ChipFET&trade | 6-TSOP |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <35 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1.35 Вт | <1 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 1.5 A, 2V | >100Ic, Vce = 1.5A, 1.5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 20mA, 2A | <310 мВIb, Ic = 20mA, 2A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 нА | |