На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NSS1C200LT1G | NSS1C200MZ4T1G | NSS1C200MZ4T3G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <100 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <490 мВт | <2 Вт | <2 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 500mA, 2V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 200mA, 2A | <220 мВIb, Ic = 200mA, 2A | <220 мВIb, Ic = 200mA, 2A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <120 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||