На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NSS12601CF8T1G | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-ChipFET&trade |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <6 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <12 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <75 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 1A, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <120 мВIb, Ic = 400mA, 4A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <140 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |