На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NSS12200LT1G | NSS12200WT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <12 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <460 мВт | <650 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >250Ic, Vce = 500mA, 2V | >100Ic, Vce = 800mA, 1.5 V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <120 мВIb, Ic = 10mA, 1A | <290 мВIb, Ic = 20mA, 1A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | <100 нА |