На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NSS12100M3T5G | NSS12100UW3TCG | NSS12100XV6T1G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-723 | 3-WDFN | SOT-563 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <12 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <625 мВт | <740 мВт | <650 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 1A, 2V | >100Ic, Vce = 500mA, 2V | >90Ic, Vce = 1A, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <410 мВIb, Ic = 100mA, 1A | <200 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <440 мВIb, Ic = 100mA, 1A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | (не задано) | <200 МГц | (не задано) |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||