На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NSL12AWT1 | NSL12AWT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <12 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <450 мВт | <1.4 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 800mA, 1.5 V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <160 мВIb, Ic = 10mA, 500mA | <140 мВIb, Ic = 16mA, 800mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 нА | |