На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NSCT817-25LT1G | NSCT817-25LT3G | NSCT817-40LT1G | NSCT817-40LT3G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | <500 мА | <100 мА | <100 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <225 мВт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||