На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MSD601-RT1 | MSD601-RT1G | MSD601-ST1 | MSD601-ST1G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | |||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >210Ic, Vce = 2mA, 10V | >210Ic, Vce = 2mA, 10V | >290Ic, Vce = 2mA, 10V | >290Ic, Vce = 2mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 нА | |||