На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MSD42SWT1 | MSD42SWT1G | MSD42T1G | MSD42WT1 | MSD42WT1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <150 мА | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <300 В | ||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | ||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | ||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 2mA, 200mA | <500 мВIb, Ic = 2mA, 200mA | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||