На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MSB92ASWT1 | MSB92ASWT1G | MSB92AWT1G | MSB92T1 | MSB92T1G | MSB92WT1 | MSB92WT1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <150 мА | <150 мА | <500 мА | <500 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <300 В | ||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | ||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 1mA, 10V | >120Ic, Vce = 1mA, 10V | >120Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA | ||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <50 МГц | ||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||