MRF5812R2

MRF5812, MRF5812GR1, MRF5812R2

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMRF5812GR1MRF5812R2
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<200 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<15 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1.25 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>50Ic, Vce = 50mA, 5V
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN