MPSW45

MPSW45, MPSW45A, MPSW45AG, MPSW45ARLRAG, MPSW45AZL1, MPSW45AZL1G, MPSW45G, MPSW45RLRE, MPSW45RLREG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMPSW45AMPSW45AGMPSW45ARLRAGMPSW45AZL1MPSW45AZL1GMPSW45GMPSW45RLREMPSW45RLREG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Long Body), TO-226TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Long Body), TO-226TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Long Body), TO-226TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Long Body), TO-226TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<40 В<40 В<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1 Вт<1 Вт<2.5 Вт<1 Вт<2.5 Вт<1 Вт<1 Вт<1 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>4000Ic, Vce = 1A, 5V>4000Ic, Vce = 1A, 5V>4000Ic, Vce = 1A, 5V>4000Ic, Vce = 1A, 5V>25000Ic, Vce = 200mA, 5V>4000Ic, Vce = 1A, 5V>4000Ic, Vce = 1A, 5V>4000Ic, Vce = 1A, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 2mA, 1A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Darlington