MPSA64_D75Z

MPSA64, MPSA64,116, MPSA64_D74Z, MPSA64_D75Z, MPSA64G, MPSA64RLRA, MPSA64RLRAG, MPSA64RLRM, MPSA64RLRMG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMPSA64,116MPSA64_D74ZMPSA64_D75ZMPSA64GMPSA64RLRAMPSA64RLRAGMPSA64RLRMMPSA64RLRMG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<500 мА<1.2 А<1.2 А<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<500 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<125 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN DarlingtonPNP DarlingtonPNP DarlingtonPNP DarlingtonPNP DarlingtonPNP DarlingtonPNP DarlingtonPNP Darlington