MPSA63

MPSA63, MPSA63_D26Z, MPSA63_D27Z, MPSA63_D74Z, MPSA63_D75Z, MPSA63G, MPSA63RLRA, MPSA63RLRAG, MPSA63RLRMG, MPSA63RLRPG, MPSA63ZL1, MPSA63ZL1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMPSA63_D26ZMPSA63_D27ZMPSA63_D74ZMPSA63_D75ZMPSA63GMPSA63RLRAMPSA63RLRAGMPSA63RLRMGMPSA63RLRPGMPSA63ZL1MPSA63ZL1G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1.2 А<1.2 А<1.2 А<1.2 А<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<1.5 Вт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<125 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP Darlington