MPSA56_D27Z

MPSA56, MPSA56,116, MPSA56_D26Z, MPSA56_D27Z, MPSA56_D74Z, MPSA56_D75Z, MPSA56G, MPSA56RA, MPSA56RLRA, MPSA56RLRAG, MPSA56RLRMG, MPSA56RLRPG, MPSA56ZL1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMPSA56,116MPSA56_D26ZMPSA56_D27ZMPSA56_D74ZMPSA56_D75ZMPSA56GMPSA56RAMPSA56RLRAMPSA56RLRAGMPSA56RLRMGMPSA56RLRPGMPSA56ZL1G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<80 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<1.5 Вт<625 мВт<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<50 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 нА