MPSA43_D27Z

MPSA43, MPSA43,116, MPSA43_D26Z, MPSA43_D27Z, MPSA43_D74Z, MPSA43_D75Z, MPSA43G, MPSA43RLRAG, MPSA43ZL1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMPSA43,116MPSA43_D26ZMPSA43_D27ZMPSA43_D74ZMPSA43_D75ZMPSA43GMPSA43RLRAGMPSA43ZL1G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<500 мА<500 мА<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<200 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<500 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>25Ic, Vce = 1mA, 10V>50Ic, Vce = 30mA, 10V>50Ic, Vce = 30mA, 10V>50Ic, Vce = 30mA, 10V>50Ic, Vce = 30mA, 10V>25Ic, Vce = 1mA, 10V>25Ic, Vce = 1mA, 10V>25Ic, Vce = 1mA, 10V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA<400 мВIb, Ic = 2mA, 20mA<400 мВIb, Ic = 2mA, 20mA<400 мВIb, Ic = 2mA, 20mA<400 мВIb, Ic = 2mA, 20mA<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<50 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN