На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MPSA42,116 | MPSA42,126 | MPSA42,412 | MPSA42_D26Z | MPSA42_D27Z | MPSA42_D74Z | MPSA42_D75Z | MPSA42_D81Z | MPSA42G | MPSA42_J18Z | MPSA42_J22Z | MPSA42PH | MPSA42RA | MPSA42RL1 | MPSA42RL1G | MPSA42RLRA | MPSA42RLRAG | MPSA42RLRFG | MPSA42RLRMG | MPSA42RLRP | MPSA42RLRPG | MPSA42ZL1 | MPSA42ZL1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||||||||||||||||||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||||||||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | ||||||||||||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <300 В | ||||||||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <625 мВт | <625 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | ||||||||||||||||||||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA | ||||||||||||||||||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <50 МГц | ||||||||||||||||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||||||||||||||||||