MPSA18

MPSA18, MPSA18_D26Z, MPSA18_D27Z, MPSA18_D74Z, MPSA18_D75Z, MPSA18G, MPSA18RLRA, MPSA18RLRAG, MPSA18RLRM, MPSA18RLRMG, MPSA18RLRP, MPSA18RLRPG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMPSA18_D26ZMPSA18_D27ZMPSA18_D74ZMPSA18_D75ZMPSA18GMPSA18RLRAMPSA18RLRAGMPSA18RLRMMPSA18RLRMGMPSA18RLRPMPSA18RLRPG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>500Ic, Vce = 10mA, 5V>500Ic, Vce = 10mA, 5V>500Ic, Vce = 10mA, 5V>500Ic, Vce = 10mA, 5V>400Ic, Vce = 10µA, 5V>400Ic, Vce = 10µA, 5V>400Ic, Vce = 10µA, 5V>400Ic, Vce = 10µA, 5V>400Ic, Vce = 10µA, 5V>400Ic, Vce = 10µA, 5V>400Ic, Vce = 10µA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<160 МГц<160 МГц<160 МГц<160 МГц<160 МГц<160 МГц<160 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN