На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MPSA14,116 | MPSA14_D26Z | MPSA14_D27Z | MPSA14_D74Z | MPSA14_D75Z | MPSA14DI | MPSA14G | MPSA14RLRA | MPSA14RLRAG | MPSA14RLRP | MPSA14RLRPG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||||||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Diodes Inc | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | <1.2 А | <1.2 А | <1.2 А | <1.2 А | <100 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <30 В | ||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <1.5 Вт | <625 мВт | <625 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >10000Ic, Vce = 10mA, 5V | >10000Ic, Vce = 10mA, 5V | >10000Ic, Vce = 10mA, 5V | >10000Ic, Vce = 10mA, 5V | >10000Ic, Vce = 10mA, 5V | >5000Ic, Vce = 10mA, 5V | >10000Ic, Vce = 10mA, 5V | >10000Ic, Vce = 10mA, 5V | >10000Ic, Vce = 100mA, 5V | >10000Ic, Vce = 10mA, 5V | >10000Ic, Vce = 10mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA | ||||||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <125 МГц | ||||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | ||||||||||