MPSA13

MPSA13, MPSA13_D26Z, MPSA13_D27Z, MPSA13_D74Z, MPSA13_D75Z, MPSA13DI, MPSA13G, MPSA13RA, MPSA13RLRA, MPSA13RLRAG, MPSA13RLRM, MPSA13RLRMG, MPSA13RLRP, MPSA13RLRPG, MPSA13ZL1, MPSA13ZL1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMPSA13_D26ZMPSA13_D27ZMPSA13_D74ZMPSA13_D75ZMPSA13DIMPSA13GMPSA13RAMPSA13RLRAMPSA13RLRAGMPSA13RLRMMPSA13RLRMGMPSA13RLRPMPSA13RLRPGMPSA13ZL1MPSA13ZL1G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorDiodes IncON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1.2 А<1.2 А<1.2 А<1.2 А<1.2 А<500 мА<1.2 А<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<1.5 Вт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<1.5 Вт<625 мВт<1.5 Вт<625 мВт<1.5 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>5000Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<125 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Darlington