На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MPSA06,116 | MPSA06,126 | MPSA06,412 | MPSA06_D26Z | MPSA06_D27Z | MPSA06_D74Z | MPSA06_D75Z | MPSA06DI | MPSA06G | MPSA06RA | MPSA06RL | MPSA06RL1 | MPSA06RL1G | MPSA06RLG | MPSA06RLRA | MPSA06RLRAG | MPSA06RLRM | MPSA06RLRMG | MPSA06RLRPG | MPSA06T93 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||||||||||||||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Diodes Inc | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | |||||||||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <80 В | |||||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <1.5 Вт | <625 мВт | <350 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >50Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | |||||||||||||||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | |||||||||||||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||||||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 нА | <100 нА | <100 нА | <100 нА | <100 нА | <100 нА | <100 нА | <100 нА | <100 нА | <100 нА | <100 нА | <100 нА | <100 нА | <100 нА | <100 нА | <100 нА | <100 нА | <100 нА | <100 нА | <1 мкА |