На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MPS751_D26Z | MPS751G | MPS751RLRA | MPS751RLRAG | MPS751RLRPG | MPS751ZL1 | MPS751ZL1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А | ||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В | ||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <625 мВт | <1.5 Вт | <625 мВт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <625 мВт | <625 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >40Ic, Vce = 2A, 2V | >75Ic, Vce = 50mA, 2V | >75Ic, Vce = 50mA, 2V | >75Ic, Vce = 50mA, 2V | >75Ic, Vce = 50mA, 2V | >75Ic, Vce = 50mA, 2V | >75Ic, Vce = 50mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 200mA, 2A | <500 мВIb, Ic = 200mA, 2A | <500 мВIb, Ic = 200mA, 2A | <500 мВIb, Ic = 200mA, 2A | <300 мВIb, Ic = 100mA, 1A | <500 мВIb, Ic = 200mA, 2A | <500 мВIb, Ic = 200mA, 2A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <75 МГц | ||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||