MPS651G

MPS651, MPS651_D26Z, MPS651G, MPS651RLRA, MPS651RLRAG, MPS651RLRMG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMPS651_D26ZMPS651GMPS651RLRAMPS651RLRAGMPS651RLRMG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<800 мА<2 А<2 А<2 А<2 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<625 мВт<1.5 Вт<625 мВт<625 мВт<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>40Ic, Vce = 2A, 2V>75Ic, Vce = 50mA, 2V>75Ic, Vce = 50mA, 2V>75Ic, Vce = 50mA, 2V>75Ic, Vce = 50mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 200mA, 2A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<75 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN