MPS650G

MPS650, MPS650G, MPS650RLRA, MPS650RLRAG, MPS650ZL1, MPS650ZL1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMPS650GMPS650RLRAMPS650RLRAGMPS650ZL1MPS650ZL1G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<2 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<625 мВт<625 мВт<1.5 Вт<625 мВт<1.5 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>75Ic, Vce = 50mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 200mA, 2A<500 мВIb, Ic = 200mA, 2A<300 мВIb, Ic = 100mA, 1A<500 мВIb, Ic = 200mA, 2A<300 мВIb, Ic = 100mA, 1A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<75 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 нА<100 нА(не задано)<100 нА(не задано)