На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MPS4250ARLRM | MPS4250ARLRMG | MPS4250G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <10 мА | <10 мА | (не задано) |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <625 мВт | <625 мВт | <1.5 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >250Ic, Vce = 1mA, 5V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | (не задано) | <10 нА |