На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MPS2369A | MPS2369AG | MPS2369ARLRP | MPS2369ARLRPG | MPS2369G | MPS2369RLRA | MPS2369RLRAG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 мА | ||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В | ||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <625 мВт | ||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 30mA, 400mV | >30Ic, Vce = 30mA, 400mV | >30Ic, Vce = 30mA, 400mV | >30Ic, Vce = 30mA, 400mV | >20Ic, Vce = 10mA, 1V | >20Ic, Vce = 10mA, 1V | >20Ic, Vce = 10mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <4 мкА | ||||||