MPS2222

MPS2222, MPS2222AG, MPS2222ARL, MPS2222ARLG, MPS2222ARLRA, MPS2222ARLRAG, MPS2222ARLRM, MPS2222ARLRMG, MPS2222ARLRP, MPS2222ARLRPG, MPS2222AZL1, MPS2222AZL1G, MPS2222G, MPS2222RLRA, MPS2222RLRAG, MPS2222RLRM, MPS2222RLRMG, MPS2222RLRPG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMPS2222AGMPS2222ARLMPS2222ARLGMPS2222ARLRAMPS2222ARLRAGMPS2222ARLRMMPS2222ARLRMGMPS2222ARLRPMPS2222ARLRPGMPS2222AZL1MPS2222AZL1GMPS2222GMPS2222RLRAMPS2222RLRAGMPS2222RLRMMPS2222RLRMGMPS2222RLRPG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<600 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1.5 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>100Ic, Vce = 150mA, 10V>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN