На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMST6427-7 | MMST6427-7-F | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-3, SOT-323-3 | |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >10000Ic, Vce = 10mA, 5V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 500µA, 500mA | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <1 мкА | |