На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMST5551-7 | MMST5551-7-F | MMST5551-TP | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | Diodes Inc | Micro Commercial Co |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <160 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <150 мВIb, Ic = 1mA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <300 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | (не задано) | <50 нА |