На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMJT9435T1 | MMJT9435T1G | MMJT9435T3 | MMJT9435T3G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | |||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <3 А | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <30 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <3 Вт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >125Ic, Vce = 800mA, 1V | |||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <210 мВIb, Ic = 20mA, 800mA | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <110 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||