На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBTA92,215 | MMBTA92-7 | MMBTA92-7-F | MMBTA92_D87Z | MMBTA92LT1 | MMBTA92LT1G | MMBTA92LT3 | MMBTA92LT3G | MMBTA92-TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | Diodes Inc | Diodes Inc | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Micro Commercial Co |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <50 мА | <500 мА | <500 мА | <300 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <300 В | ||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | <300 мВт | <300 мВт | <350 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <300 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >100Ic, Vce = 10mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA | ||||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <50 МГц | ||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <250 нА | <250 нА | <250 нА | <250 нА | (не задано) |