На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBTA64-7 | MMBTA64-7-F | MMBTA64LT1 | MMBTA64LT1G | MMBTA64LT3G | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||||
Производитель | Производитель | Diodes Inc | Diodes Inc | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <30 В | ||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | <300 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >10000Ic, Vce = 10mA, 5V | ||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA | ||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <125 МГц | ||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Darlington | ||||