На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBT6427-7 | MMBT6427-7-F | MMBT6427LT1 | MMBT6427LT1G | MMBT6427LT3 | MMBT6427LT3G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |||||
Производитель | Производитель | Diodes Inc | Diodes Inc | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | |||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | <300 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >10000Ic, Vce = 10mA, 5V | |||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 500µA, 500mA | <1.5 ВIb, Ic = 500µA, 500mA | <1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA | <1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA | <1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA | <1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | |||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <1 мкА | |||||