MMBT5551

MMBT5551, MMBT5551-7, MMBT5551-7-F, MMBT5551LT1, MMBT5551LT1G, MMBT5551LT3G, MMBT5551M3T5G, MMBT5551-TP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMMBT5551-7MMBT5551-7-FMMBT5551LT1MMBT5551LT1GMMBT5551LT3GMMBT5551M3T5GMMBT5551-TP
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-723SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23
Производитель
Производитель
Diodes IncDiodes IncON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorMicro Commercial Co
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<600 мА<600 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<600 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<160 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<300 мВт<300 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<640 мВт<300 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<300 МГц<300 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<50 мкА(не задано)