На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBT5550LT1 | MMBT5550LT1G | MMBT5550LT3G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <600 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <140 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <225 мВт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >60Ic, Vce = 10mA, 5V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <50 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||