На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBT5401-7 | MMBT5401-7-F | MMBT5401_D87Z | MMBT5401LT1 | MMBT5401LT1G | MMBT5401LT3 | MMBT5401LT3G | MMBT5401-TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | Diodes Inc | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Micro Commercial Co |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <600 мА | <600 мА | <600 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <600 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <150 В | |||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | <300 мВт | <350 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <300 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >60Ic, Vce = 10mA, 5V | >60Ic, Vce = 10mA, 5V | >60Ic, Vce = 10mA, 5V | >60Ic, Vce = 10mA, 5V | >60Ic, Vce = 10mA, 5V | >60Ic, Vce = 10mA, 5V | >60Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 10mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <300 МГц | <300 МГц | <300 МГц | <300 МГц | <300 МГц | <300 МГц | <300 МГц | <100 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <50 нА | <50 нА | <50 нА | <50 нА | (не задано) |