MMBT4403

MMBT4403, MMBT4403-7, MMBT4403-7-F, MMBT4403_D87Z, MMBT4403K, MMBT4403LT1, MMBT4403LT1G, MMBT4403LT3, MMBT4403LT3G, MMBT4403M3T5G, MMBT4403T-7, MMBT4403T-7-F, MMBT4403-TP, MMBT4403WT1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMMBT4403-7MMBT4403-7-FMMBT4403_D87ZMMBT4403KMMBT4403LT1MMBT4403LT1GMMBT4403LT3MMBT4403LT3GMMBT4403M3T5GMMBT4403T-7MMBT4403T-7-FMMBT4403-TPMMBT4403WT1G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-723SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
Diodes IncDiodes IncFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorDiodes IncDiodes IncMicro Commercial CoON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<600 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<300 мВт<300 мВт<350 мВт<350 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<640 мВт<150 мВт<150 мВт<350 мВт<150 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 150mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<100 нА(не задано)