На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBT4401-7 | MMBT4401-7-F | MMBT4401_D87Z | MMBT4401K | MMBT4401LT1 | MMBT4401LT1G | MMBT4401LT3G | MMBT4401M3T5G | MMBT4401T-7 | MMBT4401T-7-F | MMBT4401-TP | MMBT4401WT1 | MMBT4401WT1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-723 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | Diodes Inc | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes Inc | Diodes Inc | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <600 мА | ||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | ||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | <300 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <640 мВт | <150 мВт | <150 мВт | <350 мВт | <150 мВт | <150 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 150mA, 1V | ||||||||||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | ||||||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <100 нА | (не задано) | (не задано) |