На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBT4126-7 | MMBT4126-7-F | MMBT4126LT1 | MMBT4126LT1G | MMBT4126LT3G | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||||
Производитель | Производитель | Diodes Inc | Diodes Inc | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 мА | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <25 В | ||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | <300 мВт | <225 мВт | <300 мВт | <225 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 2mA, 1V | ||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | ||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | ||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||