На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBT4124-7 | MMBT4124-7-F | MMBT4124LT1G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Производитель | Производитель | Diodes Inc | Diodes Inc | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <25 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | <300 мВт | <225 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 2mA, 1V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <300 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||